Nexperia s'associe à AIXTRON pour l'alimentation SiC et GaN de 200 mm

AIXTRON SE accompagne Nexperia BV dans la montée en puissance de sa production en volume de 200 mm pour les dispositifs électriques en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN). Nexperia a passé des commandes répétées pour les outils G10-SiC et G10-GaN d'AIXTRON, essentiels pour les transistors économes en énergie de nouvelle génération utilisés dans diverses applications de conversion de puissance.

Nexperia, qui a réalisé un chiffre d'affaires de plus de 2,1 milliards de dollars en 2023, élargit son portefeuille avec de nouveaux appareils à haute fiabilité et économes en énergie. Les systèmes AIXTRON seront installés dans l'usine de fabrication de plaquettes de Nexperia à Hambourg, en Allemagne, améliorant ainsi ses capacités de production de semi-conducteurs. Le site de Hambourg produit environ 100 milliards de semi-conducteurs discrets par an.

Le Dr Felix Grawert, PDG d'AIXTRON SE, a exprimé sa fierté pour ce partenariat, soulignant le rôle des solutions d'épitaxie G10 dans la croissance de Nexperia. Achim Kempe, COO chez Nexperia, a souligné que l'intégration des systèmes G10 améliorera considérablement leurs capacités de production dans la technologie à large bande interdite.