STMicroelectronics présente une technologie de puissance en carbure de silicium pour véhicules électriques

STMicroelectronics, acteur majeur des semiconducteurs, annonce une nouvelle génération de MOSFET STPOWER en carbure de silicium (SiC). Ces composants améliorent l’efficacité énergétique, la densité de puissance et la robustesse, s'adressant particulièrement aux onduleurs de traction des véhicules électriques.

Les nouveaux MOSFET, disponibles en catégories 750 V et 1 200 V, offriront des avantages notables pour les véhicules électriques de taille moyenne et compacte. La production en volume augmentera jusqu’en 2025. D'autres innovations en SiC sont prévues jusqu'en 2027.

ST poursuit sa stratégie de fabrication intégrée verticalement, garantissant une chaîne d'approvisionnement robuste et favorisant les avancées technologiques. La société vise à accompagner la transition vers une plus grande efficacité dans les applications industrielles et automobiles.